Name: SSM6N815R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N815RLFTR-ND
Price: 19.0575 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6N815R,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6N815RLFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6N815RLFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6N815RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6N815R,LF
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 2A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch 6-TSOP-F
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6N815R,LF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 103mOhm při 2A, 10V
Výrobce Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 100µA
Řada U-MOSVIII-H	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 3,1nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 290pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 1,8W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně, 4V pohon	Pouzdro 6-SMD, Ploché vodiče
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Dodávaná velikost pouzdra 6-TSOP-F
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2A (Ta)	Základní číslo produktu SSM6N815

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 32 059

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	15,75000 Kč
Jednotková cena s DPH:	19,05750 Kč

SSM6N815R,LF