Name: SSM6N62TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N62TULFTR-ND
Price: 17.9201 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6N62TU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6N62TULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6N62TULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6N62TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6N62TU,LF
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch UF6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6N62TU,LF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 1mA
Výrobce Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 2nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 177pF při 10V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 500mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně, 1,2V pohon	Pouzdro 6-SMD, Ploché vodiče
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra UF6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 800mA (Ta)	Základní číslo produktu SSM6N62
Rds zap (max) při Id, Vgs 85mOhm při 800mA, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 6 966

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)