Name: SSM6N35FE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N35FELMTR-ND
Price: 9.0871 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6N35FE,LM
Číslo produktu DigiKey	SSM6N35FELMTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6N35FELMCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6N35FELMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6N35FE,LM
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 180mA 150mW Montáž na povrch ES6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6N35FE,LM Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 3Ohm při 50mA, 4V
Výrobce Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max) při Id 1V při 1mA
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9,5pF při 3V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 150mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro SOT-563, SOT-666
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra ES6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 180mA	Základní číslo produktu SSM6N35

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)