Name: SSM6K819R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLFTR-ND
Price: 28.2051 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6K819R,LF
Číslo produktu DigiKey	264-SSM6K819RLFTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-SSM6K819RLFCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-SSM6K819RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6K819R,LF
Popis	N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 10A (Ta) 1,5W (Ta) Montáž na povrch 6-TSOP-F
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1110 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,5W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 175°C
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Ta)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 6-TSOP-F
Rds zap (max) při Id, Vgs 25,8mOhm při 4A, 10V	Pouzdro 6-SMD, Ploché vodiče
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 100µA	Základní číslo produktu SSM6K819

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 7 602

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)