Name: SSM6K809R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K809R,LFTR-ND
Price: 17.1336 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6K809R,LF
Číslo produktu DigiKey	264-SSM6K809R,LFTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-SSM6K809R,LFCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-SSM6K809R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6K809R,LF
Popis	SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 6A (Ta) 1,5W (Ta) Montáž na povrch 6-TSOP-F
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	36mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	550 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,5W (Ta)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-TSOP-F
Pouzdro	6-SMD, Ploché vodiče
Základní číslo produktu	SSM6K809