Name: SSM6K809R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K809R,LFTR-ND
Price: 21.1992 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6K809R,LF
Číslo produktu DigiKey	264-SSM6K809R,LFTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-SSM6K809R,LFCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-SSM6K809R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6K809R,LF
Popis	SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 6A (Ta) 1,5W (Ta) Montáž na povrch 6-TSOP-F
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 100µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 9.3 nC @ 10 V
Řada U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 550 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,5W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 175°C
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra 6-TSOP-F
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6A (Ta)	Pouzdro 6-SMD, Ploché vodiče
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4V, 10V	Základní číslo produktu SSM6K809
Rds zap (max) při Id, Vgs 36mOhm při 5A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 3 098

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)