Name: SSM6J825R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6J825RLFTR-ND
Price: 15.246 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6J825R,LF
Číslo produktu DigiKey	264-SSM6J825RLFTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-SSM6J825RLFCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-SSM6J825RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6J825R,LF
Popis	P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 4A (Ta) 1,5W (Ta) Montáž na povrch 6-TSOP-F
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +10V, -20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 492 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,5W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 6-TSOP-F
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4V, 10V	Pouzdro 6-SMD, Ploché vodiče
Rds zap (max) při Id, Vgs 45mOhm při 4A, 10V	Základní číslo produktu SSM6J825

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 796

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	12,60000 Kč
Jednotková cena s DPH:	15,24600 Kč

SSM6J825R,LF