Name: SSM3K35AMFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K35AMFVL3FTR-ND
Price: 4.2834 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SSM3K35AMFV,L3F
Číslo produktu DigiKey	SSM3K35AMFVL3FTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM3K35AMFVL3FCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM3K35AMFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM3K35AMFV,L3F
Popis	MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch VESM
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM3K35AMFV,L3F Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSIII
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	250mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,1Ohm při 150mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	0.34 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	36 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500mW (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	VESM
Pouzdro	SOT-723
Základní číslo produktu	SSM3K35

Jednotková cena bez DPH:	3,54000 Kč
Jednotková cena s DPH:	4,28340 Kč

SSM3K35AMFV,L3F