Name: SSM3K35AMFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K35AMFVL3FTR-ND
Price: 5.5902 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM3K35AMFV,L3F
Číslo produktu DigiKey	SSM3K35AMFVL3FTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM3K35AMFVL3FCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM3K35AMFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM3K35AMFV,L3F
Popis	MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch VESM
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM3K35AMFV,L3F Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 100µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0.34 nC @ 4.5 V
Řada U-MOSIII	Vgs (max) ±10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 36 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 500mW (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Dodávaná velikost pouzdra VESM
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 250mA (Ta)	Pouzdro SOT-723
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,2V, 4,5V	Základní číslo produktu SSM3K35
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,1Ohm při 150mA, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 27 255

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)