Name: SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K357RLFTR-ND
Price: 12.1 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM3K357R,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM3K357RLFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM3K357RLFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM3K357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM3K357R,LF
Popis	MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) Montáž na povrch SOT-23F
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM3K357R,LF Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	π-MOSV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	650mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	3V, 5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,8Ohm při 150mA, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1.5 nC @ 5 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	60 pF @ 12 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1W (Ta)
Provozní teplota	150°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23F
Pouzdro	SOT-23-3 ploché vodiče
Základní číslo produktu	SSM3K357