Name: SSM3K2615TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K2615TULFTR-ND
Price: 17.2788 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM3K2615TU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM3K2615TULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM3K2615TULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM3K2615TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM3K2615TU,LF
Popis	MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Montáž na povrch UFM
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM3K2615TU,LF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6 nC @ 10 V
Řada π-MOSV	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 150 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 800mW (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra UFM
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2A (Ta)	Pouzdro 3-SMD, Ploché vodiče
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 3,3V, 10V	Základní číslo produktu SSM3K2615
Rds zap (max) při Id, Vgs 300mOhm při 1A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 7 078

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)