Name: SSM3J356R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J356RLFTR-ND
Price: 11.4345 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM3J356R,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM3J356RLFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM3J356RLFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM3J356RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM3J356R,LF
Popis	MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Montáž na povrch SOT-23F
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM3J356R,LF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8.3 nC @ 10 V
Řada U-MOSVI	Vgs (max) +10V, -20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 330 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1W (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23F
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2A (Ta)	Pouzdro SOT-23-3 ploché vodiče
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4V, 10V	Základní číslo produktu SSM3J356
Rds zap (max) při Id, Vgs 300mOhm při 1A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 75 674

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)