Name: SSM3J15FV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J15FVL3FTR-ND
Price: 5.5539 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM3J15FV,L3F
Číslo produktu DigiKey	SSM3J15FVL3FTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM3J15FVL3FCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM3J15FVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM3J15FV,L3F
Popis	MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montáž na povrch VESM
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM3J15FV,L3F Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 12Ohm při 10mA, 4V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max) při Id 1,7V při 100µA
Řada π-MOSVI	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9.1 pF @ 3 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 150mW (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra VESM
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100mA (Ta)	Pouzdro SOT-723
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 2,5V, 4V	Základní číslo produktu SSM3J15

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 43 043

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)