RN2404TE85LF je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,59073 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 6 000
Jednotková cena : 1,32061 Kč
Katalogový list

Direct


onsemi
Skladem : 21 882
Jednotková cena : 3,37000 Kč
Katalogový list

Upgrade


Infineon Technologies
Skladem : 2 361
Jednotková cena : 5,05000 Kč
Katalogový list

Upgrade


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,53000 Kč
Katalogový list

Upgrade


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,53000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 8 553
Jednotková cena : 4,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 3 000
Jednotková cena : 4,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Panasonic Electronic Components
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,84000 Kč

Similar


Panasonic Electronic Components
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,31296 Kč

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 43 318
Jednotková cena : 4,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 5,26000 Kč
Katalogový list
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) PNP - předpěťový obvod 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Montáž na povrch S-Mini
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RN2404TE85LF

Číslo produktu DigiKey
RN2404TE85LFTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
RN2404TE85LF
Popis
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) PNP - předpěťový obvod 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Montáž na povrch S-Mini
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru
PNP - předpěťový obvod
Proud kolektoru (Ic) (max)
100 mA
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
50 V
Včetně rezistorů
R1 a R2
Odpor - báze (R1)
47 kOhms
Odpor - emitor- báze (R2)
47 kOhms
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce
80 při 10mA, 5V
Saturace Vce (max) při Ib, Ic
300mV při 250µA, 5mA
Zbytkový proud kolektoru (max)
500nA
Přechodový kmitočet
200 MHz
Výkon - max
200 mW
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodávaná velikost pouzdra
S-Mini
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Chcete-li požádat o cenovou nabídku, Přihlaste se nebo se Zaregistrujte