RN1962TE85LF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar

RN1902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 1 658
Jednotková cena : 7,14000 Kč
Katalogový list

Similar

DCX114EU-13R-F
Diodes Incorporated
Skladem : 9 100
Jednotková cena : 4,41000 Kč
Katalogový list

Similar

DCX114EU-7-F
Diodes Incorporated
Skladem : 119 056
Jednotková cena : 5,46000 Kč
Katalogový list

Similar

NSVMUN5211DW1T2G
onsemi
Skladem : 10 474
Jednotková cena : 6,09000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) 2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální) 50V 100mA 250MHz 500mW Montáž na povrch US6
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RN1962TE85LF

Číslo produktu DigiKey
RN1962TE85LFTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce
RN1962TE85LF
Popis
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) 2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální) 50V 100mA 250MHz 500mW Montáž na povrch US6
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru
2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální)
Proud kolektoru (Ic) (max)
100mA
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
50V
Odpor - báze (R1)
10kOhm
Odpor - emitor- báze (R2)
10kOhm
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce
50 při 10mA, 5V
Saturace Vce (max) při Ib, Ic
300mV při 250µA, 5mA
Zbytkový proud kolektoru (max)
100nA (ICBO)
Přechodový kmitočet
250MHz
Výkon - max
500mW
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodávaná velikost pouzdra
US6
Základní číslo produktu
RN1962
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.