Name: RN1901FETE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1901FETE85LFTR-ND
Price: 7.5504 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

RN1901FETE85LF
Číslo produktu DigiKey	RN1901FETE85LFTR-ND - Páska a cívka (TR) RN1901FETE85LFCT-ND - Řezaná páska (CT) RN1901FETE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	RN1901FETE85LF
Popis	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) 2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální) 50V 100mA 250MHz 100mW Montáž na povrch ES6
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Bipolární (BJT) Pole bipolárních tranzistorů, s předpěťovým obvodem
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru	2 NPN - s předpěťovým obvodem (duální)
Proud kolektoru (Ic) (max)	100mA
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	50V
Odpor - báze (R1)	4,7kOhm
Odpor - emitor- báze (R2)	4,7kOhm
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce	30 při 10mA, 5V
Saturace Vce (max) při Ib, Ic	300mV při 250µA, 5mA
Zbytkový proud kolektoru (max)	100nA (ICBO)
Přechodový kmitočet	250MHz
Výkon - max	100mW
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-563, SOT-666
Dodávaná velikost pouzdra	ES6
Základní číslo produktu	RN1901

Jednotková cena bez DPH:	6,24000 Kč
Jednotková cena s DPH:	7,55040 Kč

RN1901FETE85LF