Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 166.5807 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GT50JR22(STA1,E,S)
Číslo produktu DigiKey	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	GT50JR22(STA1,E,S)
Popis	IGBT 600V 50A TO-3P
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT 600 V 50 A 230 W Průchozí otvor TO-3P(N)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru IGBT	-
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	600 V
Proud kolektoru (Ic) (max)	50 A
Pulzní proud kolektoru (Icm)	100 A
Vce(zap) (max) při Vge, Ic	2,2V při 15V, 50A
Výkon - max	230 W
Spínací energie	-
Typ vstupu	Standardní
Td (zap/vyp) při 25°C	-
Zkušební podmínka	-
Provozní teplota	175°C (TJ)
Způsob montáže	Průchozí otvor
Pouzdro	TO-3P-3, SC-65-3
Dodávaná velikost pouzdra	TO-3P(N)

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 4

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	137,67000 Kč	137,67 Kč
25	80,87400 Kč	2 021,85 Kč
100	67,32630 Kč	6 732,63 Kč
500	57,49260 Kč	28 746,30 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.