Name: CSD86330Q3D
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-28216-2-ND
Price: 79.2671 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CSD86330Q3D
Číslo produktu DigiKey	296-28216-2-ND - Páska a cívka (TR) 296-28216-1-ND - Řezaná páska (CT) 296-28216-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Texas Instruments
Číslo produktu výrobce	CSD86330Q3D
Popis	MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Standardní dodací lhůta výrobce	6 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 25V 20A 6W Montáž na povrch 8-LSON (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	CSD86330Q3D Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 9,6mOhm při 14A, 8V
Výrobce Texas Instruments	Vgs(th) (max) při Id 2,1V při 250µA
Řada NexFET™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6,2nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 920pF při 12,5V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 6W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-PowerLDFN
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 25V	Dodávaná velikost pouzdra 8-LSON (3,3x3,3)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A	Základní číslo produktu CSD86330Q3