Name: CSD19536KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-47254-2-ND
Price: 149.1446 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CSD19536KTT
Číslo produktu DigiKey	296-47254-2-ND - Páska a cívka (TR) 296-47254-1-ND - Řezaná páska (CT) 296-47254-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Texas Instruments
Číslo produktu výrobce	CSD19536KTT
Popis	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 200A (Ta) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (DDPAK-3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	CSD19536KTT Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,2V při 250µA
Mfr Texas Instruments	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 153 nC @ 10 V
Řada NexFET™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 12000 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 375W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (DDPAK-3)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 200A (Ta)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu CSD19536
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,4mOhm při 100A, 10V