Name: CSD17576Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD17576Q5BTTR-ND
Price: 47.8313 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

CSD17576Q5BT
Číslo produktu DigiKey	296-CSD17576Q5BTTR-ND - Páska a cívka (TR) 296-CSD17576Q5BTCT-ND - Řezaná páska (CT) 296-CSD17576Q5BTDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Texas Instruments
Číslo produktu výrobce	CSD17576Q5BT
Popis	MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 100A (Ta) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch 8-VSONP (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	CSD17576Q5BT Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Texas Instruments
Řada	NexFET™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1,8V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	32 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4430 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,1W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-VSONP (5x6)
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	CSD17576Q5