Name: STS8DN6LF6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-17309-2-ND
Price: 48.5331 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STS8DN6LF6AG
Číslo produktu DigiKey	497-17309-2-ND - Páska a cívka (TR) 497-17309-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-17309-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STS8DN6LF6AG
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 8A (Ta) 3,2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STS8DN6LF6AG Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Výrobce STMicroelectronics	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 27nC při 10V
Řada STripFET™ F6	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1340pF při 25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 3,2W
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Kvalifikace AEC-Q101
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SO
Rds zap (max) při Id, Vgs 24mOhm při 4A, 10V	Základní číslo produktu STS8DN6

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 9 115

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)