Name: STQ1NK80ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-6197-3-ND
Price: 32.5974 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STQ1NK80ZR-AP
Číslo produktu DigiKey	497-6197-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-6197-3-ND - Páska a krabice (TB)
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STQ1NK80ZR-AP
Popis	MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Průchozí otvor TO-92-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STQ1NK80ZR-AP Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	SuperMESH™
Balení	Řezaná páska (CT) Páska a krabice (TB)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	300mA (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16Ohm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 50µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	160 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-92-3
Pouzdro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), tvarované vodiče
Základní číslo produktu	STQ1NK80