STP120N4F6 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 24,97145 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 479
Jednotková cena : 52,70000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 70
Jednotková cena : 64,67000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 30,43880 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 25,16400 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 44
Jednotková cena : 47,88000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 14,23790 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 516
Jednotková cena : 33,60000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 7,09871 Kč
Katalogový list
N-kanál 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STP120N4F6

Číslo produktu DigiKey
497-10962-5-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
STP120N4F6
Popis
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 40 V 80A (Tc) 110W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
STP120N4F6 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
4,3mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3850 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
150,82000 Kč50,82 Kč
5024,87420 Kč1 243,71 Kč
10022,33980 Kč2 233,98 Kč
50017,89660 Kč8 948,30 Kč
1 00016,46810 Kč16 468,10 Kč
2 00015,26702 Kč30 534,04 Kč
5 00014,36788 Kč71 839,40 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:50,82000 Kč
Jednotková cena s DPH:61,49220 Kč