Name: STL13N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16931-2-ND
Price: 75.7097 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STL13N60DM2
Číslo produktu DigiKey	497-16931-2-ND - Páska a cívka (TR) 497-16931-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-16931-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STL13N60DM2
Popis	MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 8A (Tc) 52W (Tc) Montáž na povrch PowerFlat™ (5x6) HV
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STL13N60DM2 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA
Mfr STMicroelectronics	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 19 nC @ 10 V
Řada MDmesh™ DM2	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 730 pF @ 100 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 52W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra PowerFlat™ (5x6) HV
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8A (Tc)	Pouzdro 8-PowerVDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu STL13
Rds zap (max) při Id, Vgs 370mOhm při 4A, 10V