Name: STH65N050DM9-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH65N050DM9-7AGTR-ND
Price: 235.9137 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STH65N050DM9-7AG
Číslo produktu DigiKey	497-STH65N050DM9-7AGTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-STH65N050DM9-7AGCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-STH65N050DM9-7AGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STH65N050DM9-7AG
Popis	AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 51A (Tc) 266W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	ECOPACK®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	51A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	50mOhm při 25,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4680 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	266W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	H2PAK-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA