Name: STH315N10F7-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14719-2-ND
Price: 137.456 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STH315N10F7-6
Číslo produktu DigiKey	497-14719-2-ND - Páska a cívka (TR) 497-14719-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-14719-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STH315N10F7-6
Popis	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STH315N10F7-6 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 180 nC @ 10 V
Mfr STMicroelectronics	Vgs (max) ±20V
Řada DeepGATE™, STripFET™ VII	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 12800 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 315W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 180A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra H2PAK-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,3mOhm při 60A, 10V	Základní číslo produktu STH315
Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA