STH140N6F7-2 STMicroelectronics | Diskrétní polovodičové produkty

STH140N6F7-2 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Diodes Incorporated

Skladem : 768

Jednotková cena : 65,68000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 16 133

Jednotková cena : 98,93500 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 58,15693 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STH140N6F7-2
Číslo produktu DigiKey	497-16314-2-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STH140N6F7-2
Popis	MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 80A (Tc) 158W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STH140N6F7-2 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	DeepGATE™, STripFET™ VII
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2700 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	158W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	H2PAK-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	STH140