Name: STH13N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH13N120K5-2AGTR-ND
Price: 303.1171 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STH13N120K5-2AG
Číslo produktu DigiKey	497-STH13N120K5-2AGTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-STH13N120K5-2AGCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-STH13N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STH13N120K5-2AG
Popis	MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STH13N120K5-2AG Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 44.2 nC @ 10 V
Mfr STMicroelectronics	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1370 pF @ 100 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 250W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Dodávaná velikost pouzdra H2PAK-2
Rds zap (max) při Id, Vgs 690mOhm při 6A, 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Vgs(th) (max) při Id 5V při 100µA	Základní číslo produktu STH13