Name: STB57N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13087-2-ND
Price: 298.5433 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STB57N65M5
Číslo produktu DigiKey	497-13087-2-ND - Páska a cívka (TR) 497-13087-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-13087-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STB57N65M5
Popis	MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STB57N65M5 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA
Mfr STMicroelectronics	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 98 nC @ 10 V
Řada MDmesh™ V	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4200 pF @ 100 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 250W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 42A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu STB57
Rds zap (max) při Id, Vgs 63mOhm při 21A, 10V