Name: STB35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18244-2-ND
Price: 149.1446 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STB35N65DM2
Číslo produktu DigiKey	497-18244-2-ND - Páska a cívka (TR) 497-18244-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-18244-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STB35N65DM2
Popis	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 28A (Tc) 210W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STB35N65DM2 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA
Mfr STMicroelectronics	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 54 nC @ 10 V
Řada MDmesh™ M2	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2400 pF @ 100 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 210W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra D2PAK
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 28A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu STB35
Rds zap (max) při Id, Vgs 110mOhm při 14A, 10V