Name: STB14N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB14N80K5TR-ND
Price: 110.5456 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STB14N80K5
Číslo produktu DigiKey	497-STB14N80K5TR-ND - Páska a cívka (TR) 497-STB14N80K5CT-ND - Řezaná páska (CT) 497-STB14N80K5DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STB14N80K5
Popis	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 12A (Tc) 130W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STB14N80K5 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	MDmesh™ K5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	445mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	620 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	130W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	STB14