SCT20N120H STMicroelectronics | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

SCT20N120H je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Rohm Semiconductor

Skladem : 0

Jednotková cena : 246,72000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT20N120H
Číslo produktu DigiKey	497-SCT20N120HTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-SCT20N120HCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-SCT20N120HDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCT20N120H
Popis	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SCT20N120H Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 1mA
Mfr STMicroelectronics	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 45 nC @ 20 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +25V, -10V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 650 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 175W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 200°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra H2PAK-2
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 20V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 290mOhm při 10A, 20V	Základní číslo produktu SCT20

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (1)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
SCT3160KLGC11	Rohm Semiconductor	0	SCT3160KLGC11-ND	246,72000 Kč	Similar

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

SCT20N120H