
SCT040W65G3-4 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 497-SCT040W65G3-4-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SCT040W65G3-4 |
Popis | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 32 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 30A (Tc) 240W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,2V při 1mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 37.5 nC @ 18 V |
Balení Trubice | Vgs (max) +18V, -5V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 860 pF @ 400 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 240W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 200°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-247-4 |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 63mOhm při 20A, 18V | Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 242,55000 Kč | 242,55 Kč |
| 30 | 144,48000 Kč | 4 334,40 Kč |
| 120 | 122,97967 Kč | 14 757,56 Kč |
| 510 | 107,23571 Kč | 54 690,21 Kč |
| 1 020 | 107,01488 Kč | 109 155,18 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 242,55000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 293,48550 Kč |

