
S2M0160120D | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1655-S2M0160120D-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | S2M0160120D |
Popis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardní dodací lhůta výrobce | 12 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 17A (Tc) 130W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 20V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 196mOhm při 10A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 2,5mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +20V, -5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 130W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-247AD | |
Pouzdro |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 5,22000 $ | 5,22 $ |
10 | 3,46900 $ | 34,69 $ |
300 | 2,17200 $ | 651,60 $ |
600 | 2,01780 $ | 1 210,68 $ |
1 200 | 1,93763 $ | 2 325,16 $ |
Jednotková cena bez DPH: | 5,22000 $ |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 6,31620 $ |