
S2M0160120D | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1655-S2M0160120D-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | S2M0160120D |
Popis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardní dodací lhůta výrobce | 12 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 17A (Tc) 130W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 2,5mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 26.5 nC @ 20 V |
Balení Trubice | Vgs (max) +20V, -5V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 513 pF @ 1000 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 130W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra TO-247AD |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 20V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 196mOhm při 10A, 20V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 117,17000 Kč | 117,17 Kč |
| 10 | 77,94500 Kč | 779,45 Kč |
| 300 | 48,80007 Kč | 14 640,02 Kč |
| 600 | 45,33538 Kč | 27 201,23 Kč |
| 1 200 | 42,42366 Kč | 50 908,39 Kč |
| 2 100 | 40,68622 Kč | 85 441,06 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 117,17000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 141,77570 Kč |



