N-kanál 1200 V 55A (Tj) 348W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

S2M0040120D-1

Číslo produktu DigiKey
1655-S2M0040120D-1-ND
Výrobce
SMC Diode Solutions
Číslo produktu výrobce
S2M0040120D-1
Popis
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardní dodací lhůta výrobce
12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 55A (Tj) 348W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
SMC Diode Solutions
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
55A (Tj)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
20V
Rds zap (max) při Id, Vgs
52mOhm při 40A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
92.1 nC @ 20 V
Vgs (max)
+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1904 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
348W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247AD
Pouzdro
TO-247-3
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 237
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1225,31000 Kč225,31 Kč
10155,65800 Kč1 556,58 Kč
300105,96360 Kč31 789,08 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:225,31000 Kč
Jednotková cena s DPH:272,62510 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
NTHL040N120SC1

NTHL040N120SC1

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

onsemi

460,07000 Kč