Name: S1M1000170J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170JTR-ND
Price: 127.8607 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

S1M1000170J
Číslo produktu DigiKey	1655-S1M1000170JTR-ND - Páska a cívka (TR) 1655-S1M1000170JCT-ND - Řezaná páska (CT) 1655-S1M1000170JDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	SMC Diode Solutions
Číslo produktu výrobce	S1M1000170J
Popis	MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 5,8A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	SMC Diode Solutions
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,3Ohm při 2A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10 nC @ 20 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	160 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	100W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA