Name: GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120H-ND
Price: 145.9502 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GP3T080A120H
Číslo produktu DigiKey	1560-GP3T080A120H-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GP3T080A120H
Popis	GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 32A (Tc) 147W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	SemiQ
Řada	QSiC™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	32A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	100mOhm při 10A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	53 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1351 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	147W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4
Pouzdro	TO-247-4

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 133

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	120,62000 Kč	120,62 Kč
10	80,66400 Kč	806,64 Kč
100	57,95910 Kč	5 795,91 Kč
500	48,28154 Kč	24 140,77 Kč
1 000	46,31000 Kč	46 310,00 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.