Name: GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120H-ND
Price: 156.0053 CZK
Availability: InStock

N-kanál 1200 V 32A (Tc) 147W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GP3T080A120H
Číslo produktu DigiKey	1560-GP3T080A120H-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GP3T080A120H
Popis	GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 32A (Tc) 147W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 10A, 18V
Mfr SemiQ	Vgs(th) (max) při Id 4V při 5mA
Řada QSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 53 nC @ 18 V
Balení Trubice	Vgs (max) +22V, -8V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1351 pF @ 1000 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 147W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 32A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-247-4
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro TO-247-4

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 99

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	128,93000 Kč	128,93 Kč
10	86,09200 Kč	860,92 Kč
100	61,86220 Kč	6 186,22 Kč
500	51,53414 Kč	25 767,07 Kč
1 000	48,21813 Kč	48 218,13 Kč
2 000	46,19560 Kč	92 391,20 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.