Name: GCMX080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX080B120S1-E1-ND
Price: 518.3277 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX080B120S1-E1
Číslo produktu DigiKey	1560-GCMX080B120S1-E1-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GCMX080B120S1-E1
Popis	SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 30A (Tc) 142W (Tc) Montáž na šasi SOT-227
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	SemiQ
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	100mOhm při 20A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	58 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1336 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	142W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-227
Pouzdro	SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo produktu	GCMX080

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 47

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	428,37000 Kč	428,37 Kč
10	307,03500 Kč	3 070,35 Kč
100	243,12750 Kč	24 312,75 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.