Obrázek pro K4B4G1646E-BYK000 není k dispozici
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

K4B4G1646E-BYK000

Číslo produktu DigiKey
5736-K4B4G1646E-BYK000-ND
Výrobce
Samsung Semiconductor, Inc.
Číslo produktu výrobce
K4B4G1646E-BYK000
Popis
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Paměťový IO 4Gbit Paralelní 800 MHz
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Samsung Semiconductor, Inc.
Řada
-
Balení
Nosič
Stav součásti
Aktivní
Možnost naprogramování ve společnosti DigiKey
Neověřeno
Typ paměti
Nestálý
Formát paměti
DRAM
Velikost paměti
4Gbit
Organizace paměti
256M x 16
Paměťové rozhraní
Paralelní
Taktovací frekvence
800 MHz
Napájecí napětí
1,35V
Provozní teplota
0°C ~ 95°C
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
96-TFBGA
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 0
Nezrušitelné/nevratné
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
Expedováno od Arcotek
Dodací lhůta není k dispozici / zpětné objednávky nejsou povoleny
Může být účtován samostatný poplatek za dopravu.
Může vás též zajímatZobrazit vše
2 Položky
KLM4G1FETE-B041

KLM4G1FETE-B041

4GB eMMC v5.1, -25 ~ 85 C , HS40

Samsung Semiconductor, Inc.

734,93000 Kč
AS4C256M16D3LC-12BIN

AS4C256M16D3LC-12BIN

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

Alliance Memory, Inc.

854,83000 Kč