Name: SP8M3HZGTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SP8M3HZGTBTR-ND
Price: 56.7732 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SP8M3HZGTB
Číslo produktu DigiKey	846-SP8M3HZGTBTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-SP8M3HZGTBCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-SP8M3HZGTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	SP8M3HZGTB
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 5A (Ta), 4,5A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch 8-SOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SP8M3HZGTB Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 3,9nC při 5V, 8,5nC při 5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 230pF při 10V, 850pF při 10V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5A (Ta), 4,5A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOP
Rds zap (max) při Id, Vgs 51mOhm při 5A, 10V, 56mOhm při 4,5A, 10V	Základní číslo produktu SP8M3

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 694

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	46,92000 Kč
Jednotková cena s DPH:	56,77320 Kč

SP8M3HZGTB