Name: SH8KB6TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SH8KB6TB1TR-ND
Price: 36.1669 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SH8KB6TB1
Číslo produktu DigiKey	846-SH8KB6TB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-SH8KB6TB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-SH8KB6TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	SH8KB6TB1
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 8,5A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch 8-SOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SH8KB6TB1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8,5A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	19,4mOhm při 8,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10,6nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	530pF při 20V
Výkon - max	2W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP
Základní číslo produktu	SH8KB6