Name: RY7P250BMTBC
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RY7P250BMTBCTR-ND
Price: 210.4553 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

RY7P250BMTBC
Číslo produktu DigiKey	846-RY7P250BMTBCTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RY7P250BMTBCCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RY7P250BMTBCDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RY7P250BMTBC
Popis	NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 250A (Ta), 300A (Tc) 340W (Tc) Montáž na povrch DFN8080T8LSHAAI
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	250A (Ta), 300A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,86mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	15900 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	340W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DFN8080T8LSHAAI
Pouzdro	8-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	173,93000 Kč
Jednotková cena s DPH:	210,45530 Kč

RY7P250BMTBC