Name: RXH090N03TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RXH090N03TB1TR-ND
Price: 39.3129 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

RXH090N03TB1
cms-digikey-product-number	846-RXH090N03TB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RXH090N03TB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RXH090N03TB1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number	RXH090N03TB1
cms-description	4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
cms-standard-lead-time	16 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Montáž na povrch 8-SOP
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	RXH090N03TB1 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	17mOhm při 9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.8 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	440 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta)
Provozní teplota	150°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	RXH090