Name: RS7R125CHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7R125CHTB1TR-ND
Price: 141.7757 CZK
Availability: InStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RS7R125CHTB1
Číslo produktu DigiKey	846-RS7R125CHTB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RS7R125CHTB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RS7R125CHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RS7R125CHTB1
Popis	NCH 150V 125A, DFN5060-8S, POWER
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 125A (Tc) 3,5W (Ta), 217W (Tc) Montáž na povrch DFN5060-8S
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 49 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3000 pF @ 75 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,5W (Ta), 217W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 125A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra DFN5060-8S
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 8,3mOhm při 50A, 10V