Name: RS6G100BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6G100BGTB1TR-ND
Price: 52.6713 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RS6G100BGTB1
Číslo produktu DigiKey	846-RS6G100BGTB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RS6G100BGTB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RS6G100BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RS6G100BGTB1
Popis	NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 100A (Tc) 3W (Ta), 59W (Tc) Montáž na povrch 8-HSOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,4mOhm při 90A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1510 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 59W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-HSOP
Pouzdro	8-PowerTDFN