Name: RS3L110ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS3L110ATTB1TR-ND
Price: 76.1211 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RS3L110ATTB1
Číslo produktu DigiKey	846-RS3L110ATTB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RS3L110ATTB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RS3L110ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RS3L110ATTB1
Popis	PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 11A (Ta) 1,4W (Ta) Montáž na povrch 8-SOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RS3L110ATTB1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	12,8mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	115 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6300 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,4W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	RS3L