Name: NVMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5113PLT1GOSTR-ND
Price: 90.1692 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFS5113PLT1G
Číslo produktu DigiKey	NVMFS5113PLT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVMFS5113PLT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVMFS5113PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFS5113PLT1G
Popis	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Montáž na povrch 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVMFS5113PLT1G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta), 64A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	14mOhm při 17A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4400 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pouzdro	8-PowerTDFN, 5 přívodů
Základní číslo produktu	NVMFS5