Name: NVMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5113PLT1GOSTR-ND
Price: 96.2918 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFS5113PLT1G
Číslo produktu DigiKey	NVMFS5113PLT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVMFS5113PLT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVMFS5113PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFS5113PLT1G
Popis	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Montáž na povrch 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVMFS5113PLT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 83 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4400 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,8W (Ta), 150W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Ta), 64A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds zap (max) při Id, Vgs 14mOhm při 17A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN, 5 přívodů
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA	Základní číslo produktu NVMFS5