Name: RS1E301GNTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E301GNTB1TR-ND
Price: 72.6605 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RS1E301GNTB1
Číslo produktu DigiKey	RS1E301GNTB1TR-ND - Páska a cívka (TR) RS1E301GNTB1CT-ND - Řezaná páska (CT) RS1E301GNTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RS1E301GNTB1
Popis	MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 30A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Montáž na povrch 8-HSOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 39.8 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2500 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Ta), 80A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSOP
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,2mOhm při 30A, 10V	Základní číslo produktu RS1E

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
BSC020N03LSGATMA1	Infineon Technologies	13 729	BSC020N03LSGATMA1CT-ND	1,64000 Kč	Similar
CSD17303Q5	Texas Instruments	3 951	296-27232-1-ND	2,25000 Kč	Similar
FDMS8020	onsemi	3 000	FDMS8020TR-ND	0,43866 Kč	Similar