Name: RRH100P03GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RRH100P03GZETBTR-ND
Price: 32.2586 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RRH100P03GZETB
Číslo produktu DigiKey	RRH100P03GZETBTR-ND - Páska a cívka (TR) RRH100P03GZETBCT-ND - Řezaná páska (CT) RRH100P03GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RRH100P03GZETB
Popis	MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 10A (Ta) 650mW (Ta) Montáž na povrch 8-SOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RRH100P03GZETB Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	12,6mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3600 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	650mW (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	RRH100