Name: RRH090P03GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RRH090P03GZETBTR-ND
Price: 54.5105 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RRH090P03GZETB
Číslo produktu DigiKey	RRH090P03GZETBTR-ND - Páska a cívka (TR) RRH090P03GZETBCT-ND - Řezaná páska (CT) RRH090P03GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RRH090P03GZETB
Popis	MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 9A (Ta) 650mW (Ta) Montáž na povrch 8-SOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	15,4mOhm při 9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3000 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	650mW (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	RRH090