Name: RQ6G050ATTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ6G050ATTCRTR-ND
Price: 32.0045 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ6G050ATTCR
Číslo produktu DigiKey	846-RQ6G050ATTCRTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RQ6G050ATTCRCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RQ6G050ATTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ6G050ATTCR
Popis	PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 5A (Ta) 950mW (Ta) Montáž na povrch TSMT6 (SC-95)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ6G050ATTCR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	40mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1100 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	950mW (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT6 (SC-95)
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	RQ6G050