Name: RQ6E080AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E080AJTCRTR-ND
Price: 30.3105 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ6E080AJTCR
Číslo produktu DigiKey	RQ6E080AJTCRTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ6E080AJTCRCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ6E080AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ6E080AJTCR
Popis	MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 8A (Ta) 950mW (Ta) Montáž na povrch TSMT6 (SC-95)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ6E080AJTCR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16,5mOhm při 8A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1810 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	950mW (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT6 (SC-95)
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	RQ6E080